一、用指針式萬(wàn)用表對場(chǎng)效應管進(jìn)行判別
（1）用測電阻法判別結型場(chǎng)效應管的電極
根據場(chǎng)效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場(chǎng)效應管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場(chǎng)效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說(shuō)明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說(shuō)明是正向ＰＮ結，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場(chǎng)效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試，直到判別出柵極為止。
（2）用測電阻法判別場(chǎng)效應管的好壞
測電阻法是用萬(wàn)用表測量場(chǎng)效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無(wú)窮大，可能是內部斷極。然后把萬(wàn)用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說(shuō)明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測。
（3）用感應信號輸人法估測場(chǎng)效應管的放大能力
具體方法：用萬(wàn)用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極Ｓ，黑表筆接漏極Ｄ，給場(chǎng)效應管加上1.5Ｖ的電源電壓，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場(chǎng)效應管的柵極Ｇ，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Iｂ都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化，由此可以觀(guān)察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說(shuō)明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管是壞的。
根據上述方法，我們用萬(wàn)用表的R×100檔，測結型場(chǎng)效應管3DJ2F。先將管的Ｇ極開(kāi)路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏?。菢O后，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動(dòng)的幅度較大，說(shuō)明該管是好的，并有較大的放大能力。
運用這種方法時(shí)要說(shuō)明幾點(diǎn)：首先，在測試場(chǎng)效應管用手捏住柵極時(shí)，萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減?。?，也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加）。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區或者在不飽和區）所致，試驗表明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動(dòng)；少數管的RDS減小，使表針向右擺動(dòng)。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何，只要表針擺動(dòng)幅度較大，就說(shuō)明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場(chǎng)效應管也適用。但要注意，MOS場(chǎng)效應管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應電壓不應過(guò)高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢，應當G-S極間短路一下。這是因為G-S結電容上會(huì )充有少量電荷，建立起ＶGＳ電壓，造成再進(jìn)行測量時(shí)表針可能不動(dòng)，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。
（4）用測電阻法判別無(wú)標志的場(chǎng)效應管
首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來(lái)，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來(lái)，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來(lái)的Ｓ、Ｄ極，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會(huì )依次對準位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置，從而就確定了Ｄ、S、G1、G2管腳的順序。
（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導的大小
對ＶＭＯＳ Ｎ溝道增強型場(chǎng)效應管測量跨導性能時(shí)，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ，這就相當于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開(kāi)路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時(shí)表內電壓較高。當用手接觸柵極Ｇ時(shí)，會(huì )發(fā)現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說(shuō)明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時(shí)，反向阻值變化不大。
二、VMOS場(chǎng)效應管
VMOS場(chǎng)效應管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動(dòng)電流?。?.1μA左右），還具有耐壓高（最高1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線(xiàn)性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用。
VMOS場(chǎng)效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線(xiàn)性放大區等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會(huì )隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應用。
眾所周知，傳統的MOS場(chǎng)效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點(diǎn):第一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重摻雜N+區（源極S）出發(fā)，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區，最后垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過(guò)大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應管。
國內生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應管典型產(chǎn)品有VN401、VN672、VMPT2等。
下面介紹檢測VMOS管的方法。
1．判定柵極G
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
2．判定源極S、漏極D
由圖1可見(jiàn)，在源-漏之間有一個(gè)PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
3．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。
由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
4．檢查跨導
將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。
注意事項：
（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時(shí)應交換表筆的位置。
（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。
（3）目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊，專(zhuān)供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。
（4）現在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應管，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設備中。
（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達到30W。
（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯(lián)復合管管子一般不超過(guò)4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。
場(chǎng)效應管的使用注意事項
（1）為了安全使用場(chǎng)效應管，在線(xiàn)路的設計中不能超過(guò)管的耗散功率，最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數的極限值。
（2）各類(lèi)型場(chǎng)效應管在使用時(shí)，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場(chǎng)效應管偏置的極性。如結型場(chǎng)效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。
（3）MOS場(chǎng)效應管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應管放人塑料盒子內，保存時(shí)最好放在金屬盒內，同時(shí)也要注意管的防潮。
（4）為了防止場(chǎng)效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線(xiàn)路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線(xiàn)端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應管時(shí)必須注意。
（5）在安裝場(chǎng)效應管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線(xiàn)在彎曲時(shí)，應當大于根部尺寸５毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。
對于功率型場(chǎng)效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場(chǎng)效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(cháng)期穩定可靠地工作。
總之，確保場(chǎng)效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛(ài)好者，都要根據自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場(chǎng)效應管。